Китай пригрозил США ответными мерами из-за вторжения на территорию консульства в Хьюстоне - 13.07.2022 Украина.ру
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Китай пригрозил США ответными мерами из-за вторжения на территорию консульства в Хьюстоне

© AP / Andy Wong, File
Читать в
ДзенTelegram
Министерство иностранных дел Китая выразило протест после того, как представители властей США вторглись на территорию китайского консульства в Хьюстоне. Об этом 25 июля заявил официальный представитель внешнеполитического ведомства КНР Ван Вэньбинь, передает РИА Новости

видео
Китаист Вавилов объяснил, зачем Трамп провоцирует конфликт с КНРКитаист Николай Вавилов 22 июля рассказал о новых деталях американо-китайского противостояния:
Во вторник, 21 июля, США потребовали от Китая закрыть в течение 72 часов генконсульство, расположенное в Хьюстоне (одно из шести дипломатических представительств КНР в США).

Спустя 40 минут после того, как китайские дипломаты освободили здания, по данным газеты  Houston Chronicle , туда вошли представители Госдепа США.

По словам Ван Вэньбиня, здание генерального консульства Китая в Хьюстоне является территорией дипломатического консульства, а также государственной собственностью Китая, поэтому представители США не имели законного права туда вторгаться.

«Китай выразил резкое недовольство и решительный протест за насильственное вторжение американской стороны на территорию генерального консульства Китая в Хьюстоне, китайская сторона уже сделала США строгое представление… Китай в связи с этим предпримет законные и необходимые ответные меры», — говорится в заявлении.

Официальный представитель госдепартамента США Морган Ортагус утверждает, что Вашингтон поручил закрыть генконсульство КНР в Хьюстоне, чтобы обеспечить защиту интеллектуальной собственности и личной информации американцев.

В ответ МИД КНР потребовал закрыть  генконсульство США в Чэнду провинции Сычуань.

 

 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала